1. 수행배경

• 원자층 증착법 (Atomic Layer Deposition; ALD)에 대해 공부하고 있습니다. ALD 공정은 화학 흡착(Chemical adsorption)과 자기 포화 반응(Self-Saturated Reaction)을 이용하여 박막을 성장시키기 때문에, 나노미터(nm) 단위의 박막증착이 가능합니다.​
• ALD에 사용되는 2개의 전구체를 비교분석하며 형성 메커니즘을 이해하고 원하는 두께의 박막을 증착하기 위해 진행했습니다.

2. 수행기간

• 5월 전구체에 대한 이론적/실험적 참고 문헌 조사
• 6월 전구체에 대한 이론적/실험적 참고 문헌 조사
• 6월 각 전구체의 Self-saturation graph 계산
• 7월 각 전구체의 Self-saturation graph 계산
• 8월 각 전구체의 Self-saturation graph 계산
• 8월 GPC 계산과 차이 비교분석
• 9월 GPC 계산과 차이 비교분석

3. 개발작품 설명

• Si 기판 위에서의 HfO2 ALD 관한 연구입니다.​
• precusor와 reactant의 exposure time, purging time을 최적화하여 최종 HfO2 ALD의 레시피를 만들었습니다.
• 실험 진행 후 ​Ellipsometry 측정기기를 통해 두께를 측정하였습니다​

4. 활용방안

• 전구체의 분석을 통해 나노단위의 박막을 증착할 시 효율적이고 정확한 최적화를 진행시킬 수 있습니다.